SISS52DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix SISS52DN-T1-GE3
| Artikelnummer: | SISS52DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay Siliconix SISS52DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SISS52DN-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) +16V, -12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8SH Serie TrenchFET® Gen V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8SH Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47.1A (Ta), 162A (Tc) Grundproduktnummer SISS52 -
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